Dhyana XV4040BSI以背照式sCMOS核心技术重构软X射线(腔内)成像体验,凭借超大靶面、超高的峰值量子效率及多维度性能突破,成为科研与工业检测领域的硬核之选。
Dhyana XV4040BSI以背照式sCMOS核心技术重构软X射线(腔内)成像体验,凭借超大靶面、超高的峰值量子效率及多维度性能突破,成为科研与工业检测领域的硬核之选。
主要性能:
· ~100% QE @ 80-1000 eV
· 10⁻6 Pa 真空兼容度
· 39 ke- 满阱容量
· 16.5 fps @ CameraLink
· USB 3.0

典型应用:
· 软x射线散射/光谱
· 极紫外光谱
· 叠层衍射成像
· 高次谐波辐射
量子效率曲线:

技术参数:


Dhyana XV4040BSI以背照式sCMOS核心技术重构软X射线(腔内)成像体验,凭借超大靶面、超高的峰值量子效率及多维度性能突破,成为科研与工业检测领域的硬核之选。
主要性能:
· ~100% QE @ 80-1000 eV
· 10⁻6 Pa 真空兼容度
· 39 ke- 满阱容量
· 16.5 fps @ CameraLink
· USB 3.0

典型应用:
· 软x射线散射/光谱
· 极紫外光谱
· 叠层衍射成像
· 高次谐波辐射
量子效率曲线:

技术参数:

